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正文 第286章 这张图,至少领先十年!
    半导体研究所。

    

    顾昭昭到的时候,吴建华已经在实验室门口等著了。

    

    跟上回不一样,这回老头儿没端著架子。

    

    远远瞅见那个背帆布包的瘦削身影拐过楼角,直接迎上来,脚步比秘书还快。

    

    “顾总工,第三炉昨天下午出炉了。”

    

    吴建华边走边说,语速比平时快了一截。

    

    他推开实验室的铁门,侧身让顾昭昭先进。

    

    实验室里灯管亮得刺眼。

    

    长条工作檯上,十二片晶圆整整齐齐码在垫了绒布的铝托盘里。

    

    吴建华的得意劲儿藏都藏不住。

    

    三英寸的军品级砷化鎵衬底。

    

    搁三个月前,他做梦都不敢想能在自己手里拉出来。

    

    顾昭昭没吭声。

    

    她放下帆布包,从托盘里取出第一片晶圆,举到灯光底下。

    

    转了半圈,搁下。

    

    拿起第二片。

    

    再搁下。

    

    一片一片看过去,动作不快,但每一片停留的时间几乎一模一样。

    

    吴建华站在旁边,心里头有点打鼓。

    

    看到第九片的时候,顾昭昭停下了。

    

    她把晶圆翻了个面,凑到灯管正底下,眯起眼。

    

    然后搁下,拿起第十片。

    

    同样的位置,同样翻面。

    

    “显微镜。”

    

    吴建华一愣,扭头冲旁边喊:“老周,把金相显微镜推过来!”

    

    老周手脚麻利,三十秒不到,显微镜到位。

    

    顾昭昭把第九片晶圆卡上载物台,调焦,低头看了十几秒。

    

    换第十片。

    

    又看了十几秒。

    

    她直起身,退后一步。

    

    “吴所长,你自己看,九號和十號,边缘区域,两点钟方向。”

    

    吴建华三步並两步凑上去,低头贴上目镜。

    

    五秒钟。

    

    他的眉头拧成了疙瘩。

    

    “微裂纹”

    

    “对。”

    

    “宽度大约零点三微米,沿晶向延伸,长度不超过八十微米。”

    

    吴建华直起腰,脸色有些掛不住。

    

    他刚才明明检查过。

    

    肉眼和常规检测都没查出毛病。

    

    “这个裂纹在中心区域没有,只出现在边缘。也不是每片都有,十二片里我看了四片有类似痕跡。”

    

    顾昭昭走到工作檯旁,拿起铅笔和一张草稿纸。

    

    “问题不在拉晶参数上,参数没毛病。”

    

    她画了个坩堝截面示意图,三笔勾完。

    

    “问题出在坩堝的热场分布,你们的加热器是单区控温,坩堝中心和边缘的温差,实际上比你们仪表读出来的大。”

    

    吴建华盯著那个截面图:“大多少”

    

    “中心和边缘的实际温差在八到十二度之间。你们的仪表只能测到坩堝外壁温度,內部熔体边缘的真实温度,测不著。”

    

    老周站在旁边,嘴巴张的老大,手里记录本忘了写。

    

    “晶体生长过程中,边缘冷得比中心快,热应力集中,就產生微裂纹,晶体越大,效应越明显。”

    

    顾昭昭在截面图上添了几个箭头,標出热流方向。

    

    “两英寸的时候问题不大,尺寸小,温差效应弱。三英寸一上来,边缘应力就扛不住了。”

    

    吴建华的脸沉下来了。

    

    他干了几十年,热场梯度的重要性当然清楚。

    

    可设备条件摆在那儿,一直默认单区控温够用。

    

    “能不能改”

    

    吴建华没绕弯子。

    

    “两个办法。”

    

    顾昭昭竖起两根手指。

    

    “第一个是换双区加热器,但你们现有的炉子改造起来至少两个月。”

    

    “第二个是在坩堝外壁加一层导热均衡层。相当於给坩堝穿一件棉袄,把热量匀开。”

    

    她在草稿纸上写下导热均衡层的具体尺寸参数和安装位置。

    

    “第二种方案,三天就能改完。”

    

    吴建华拿起那张草稿纸,看了三遍。

    

    “老周。”

    

    “在。”

    

    “去找材料组的老赵,让他今天下午就备料。”

    

    “是!”

    

    老周抱著纸就往外跑。

    

    吴建华搓了搓手,转向顾昭昭。

    

    这回他脸上没有尷尬,也没有客套。

    

    “顾总工,我搞了三十年半导体,坩堝热场这个问题困了我们组至少五年。五年,换了三茬人,谁都没吃透。你来了两趟,全给捅破了。”

    

    顾昭昭没接话。

    

    她从帆布包里掏出笔记本,翻到夹著標籤的那一页。

    

    “吴所长,衬底的事交给你继续跑。我今天来,还有另一件事。”

    

    她走到实验室角落那块积了粉笔灰的大黑板前。

    

    “t/r组件。”

    

    吴建华愣了一下。

    

    顾昭昭拿起粉笔,没打底稿,直接落笔。

    

    第一根线条落在黑板左侧。

    

    功率放大模块。

    

    她画的不是原理框图,是实际的单片电路拓扑。

    

    粉笔在黑板上刷刷地响。

    

    吴建华站在三步开外,一开始还能跟上她的节奏。

    

    画到第二个模块——低噪声放大器的时候,他的眉头皱起来了。

    

    因为他看出来了。

    

    这个低噪声放大器的拓扑结构,跟他见过的任何一篇文献都对不上。

    

    “这个级联结构……”

    

    吴建华脱口而出,“噪声係数能做到多少”

    

    “一点二db。”

    

    顾昭昭头都没回,粉笔没停。

    

    吴建华的手往裤兜里一插,又抽出来,攥了攥拳头。

    

    现在全世界砷化鎵低噪声放大器最好的水平,噪声係数在二点五到三db之间。

    

    她隨手画出来的东西,直接把世界纪录往前蹚了一大截。

    

    第三个模块——移相控制器。

    

    顾昭昭的粉笔速度不减。

    

    最后,她在三个模块之间画上互连线路,用虚线框把整个版图框在一起。

    

    框的右下角,写了四个字——

    

    单片集成。

    

    粉笔搁下。

    

    她拍了拍手上的灰,转过身。

    

    整块黑板写得满满当当。

    

    实验室里,不知什么时候多了七八个人。

    

    都是吴建华组里的研究员,不知谁喊来的,站在后头,瞪大了眼睛盯著黑板。

    

    没人说话。

    

    有个年轻研究员手里端著搪瓷缸子,水早凉了,一口没喝。

    

    吴建华走到黑板前,眼睛从左扫到右,又从右扫到左。

    

    他伸手,指著移相控制器和功率放大器之间那条互连线路。

    

    “你把移相器和功放集成在同一块晶片上”

    

    “对。”

    

    “不走混合集成,全部单片化”

    

    “对。”

    

    吴建华的手悬在半空,停了好几秒。

    

    “顾总工。”

    

    他把声音压下来了。

    

    “这个思路……我们所里没人想到过。美国军方实验室去年发的最新论文,t/r组件还是混合集成,功放和移相器分开做,最后拼一块儿。”

    

    “你这个方案,是把所有核心功能塞进一块晶片里。”

    

    他转过身,看著顾昭昭。

    

    “这至少领先十年。”

    

    顾昭昭把粉笔搁回粉笔槽。

    

    “不是至少。”

    

    她拿起帆布包,把笔记本装进去。

    

    “就是十年。”
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